| | | [文章导读] | | | 美商超微半导体(AMD)与国际商用机器公司(IBM)日前联合宣布…… | |
| | [文章信息] | | | 作者: | 文志磊 | | 时间: | 2004-12-24 | | 出处: | 天极网 | | 责编: | Marco | |
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天极网12月23日消息 美商超微半导体(AMD)与国际商用机器公司(IBM)日前联合宣布，两家公司共同为提高处理器的性能和能效开发了一种新颖的、独特的应变硅晶体管技术。与原先的晶体管相比，这种突破性的制造技术可在功耗不变的情况下，将晶体管的工作速度加快24%。
采用速度更快、能效更高的晶体管是处理器提高性能、降低功耗的基础。随着体积的不断缩小，晶体管的工作速度越来越快，但是因为漏电和无效切换而导致功耗和热量过高的风险也随之增加。AMD和IBM联合开发的应变硅技术有助于解决这些问题。此外，这也让AMD和IBM成为了首批推出支持绝缘硅(SOI)的应变硅技术的公司，从而使得他们的芯片在性能和功耗方面具有明显的优势。
AMD表示，包括应变硅在内的多种创新制造技术让AMD可以为我们的客户提供更多的价值，我们在开发先进的硅技术方面取得的成果让AMD可以提供目前最佳的效能。当我们在2005年中推出双核心AMD Opteron处理器时，这项应变硅技术预计将会进一步提升我们的领先地位。
AMD打算逐步将新的应变硅技术加入到它的90纳米处理器平台中，其中包括它将来的多核心AMD64处理器。AMD计划在2005年上半年，推出第一款采用这项技术的90纳米AMD64处理器。IBM则计划在多个90纳米处理器平台上采用这项技术，其中包括它的基于POWER架构的芯片。第一款这样的芯片将于2005年上半年推出。
IBM指出，创新已经超越规模，成为半导体技术提升性能的主要推动力，IBM与AMD取得的这项成果表明，共享经验和技术的企业可以找出克服障碍的新途径，并能够在下一代的技术进步浪潮中领先于整个行业。
这种被称为双轴应变衬底的新型应变硅制造技术可以通过在一个晶体管中拉伸硅原子，在另外一个晶体管中压缩硅原子，提升称为N沟道和P沟道的半导体晶体管的性能。双轴应变衬底技术不需要采用任何复杂、昂贵的新型制造技术，从而可以利用标准的工具和材料迅速地集成到批量生产流程中。
AMD和IBM的研究人员在业界率先利用传统材料在同一个半导体中同时提高了这两种晶体管的性能。AMD表示，应变硅设计方面的这一突破是IBM纽约设计部门与AMD德国开发中心全力合作的成果，这为满足AMD Opteron和AMD Athlon 64处理器的客户对于性能和功耗的要求提供了一种更为理想的途径。（完）
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