DDR2大潮来临，趋势不可逆转 DDR2是今年仅次于PCIE转型风暴的第二大技术革命，此次有着Intel联合众DRAM模组厂商的支持让DDR2内存的底价在短短半年内被数次刷新，目前它的售价甚至比DDR SDRAM还低，已经具备了挑战DDR SDRAM的时机和条件。
DDR2内存拥有4bit的数据预读取能力，虽然与DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是在同等核心频率下，DDR2拥有两倍于DDR的数据传输率。DDR2内存采用FBGA封装，提供了比TSOP封装更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的提升提供了良好的保障。DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了更小的功耗与更小的发热量。
现在的DRAM内部都采用4个bank的结构，每个bank由存储单元队列构成，存储单元队列通过行和列地址定位。从内存的读操作中可以了解到内存工作的几个瓶颈，它们分别是内存单元的再存储和预充电的延时，这个延迟属于bank内部的延迟，由于DRAM结构的限制这个延迟本身不太好解决。还有内部数据总线的频率限制，内部数据总线是连接DRAM颗粒中4个bank的总线，最后一个DRAM的瓶颈是输入/输出电路的延迟。
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
然而，这个方法虽然可以有效果提高内存带宽，但也有它最主要的缺点就是高延迟。内存延迟不取决于I/O缓冲区的工作频率或数据从存储单元进入总线的位宽多少。影响延迟的主要因素是内存存储单元自身的延迟。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
因此，早期的DDR2同DDR相比起来并没有占到多少便宜，反而是DDR2内存受高延迟的影响，性能要略逊色于同频的DDR内存平台。因此目前支持DDR2 SDRAM的内存厂商一些努力解决这个问题，现在他们取得了一定的成绩。在基于i915/925芯片组的平台上，早期DDR2-533 SDRAM模块仅能工作在4-4-4 timings模式下。
不过目前这种情况已经有所改观，许多内存制造商，特别象Corsair或OCZ此类为PC发烧友推出先进内存模块的内商，已经推出了支持3-3-3 timings规格、工作频率为533MHz的DDR2 SDRAM内存模块。而这些内存模块并非通过超频获得的，而是完全符合JEDEC标准。理论上，DDR2-533的CAS延迟减小了3个时钟周期是新版DDR2 SDRAM的最大改进之处。
