闪存硬盘革命之势不可逆转
AMD公司和富士通公司的闪存联合部门将利用65纳米光刻技术把其Mirrorbit技术拓展到8GB容量。Mirrorbit技术可以支持多种逻辑，在高容量的闪存阵列中集成多个逻辑区块。相对于传统存储产品，Mirrorbit技术更适用于新型应用。
除此之外，该公司还宣布了开发新型ORNAND闪存架构的计划。据Spansion集团副总裁兼多媒体存储事业部总经理Masanobu Yoshida介绍,ONAND在成本上与NAND相比差别不大，能够覆盖目前的NOR和NAND应用市场。
日韩厂商正在为争夺闪存技术领域的领先地位而激烈竞争，韩国三星似乎占据有利优势。全球最大的闪存芯片制造商三星目前已经成功开发出基于NAND闪存记忆体的新型闪存硬盘(SSD、solid state disk)。
闪存业界元老艾蒙M-System 5月发布的容量高达64GB和176GB的FFD Ulta320 SCSI固态闪存硬盘，符合MIL-STD-810F防震标准，能够在零下40度至85度之间正常工作，并且符合NSA、DoD、RIG 106、美国海陆空军数据安全标准。
据介绍，这种专为机要系统，例如军事、航空、电信、广播、a工业自动化管理等领域设计的闪存硬盘，对角长度均为3.5英寸，64GB的型号厚度为半英寸，176GB型号厚1英寸。目前FFD Ulta320 SCSI支持80针接口，M-System将在本季度内推出68针接口版本。
