第5页：性能不是问题 NAND并未输在起跑线
然而，我们不要忘了，若要做成SSD，模拟成现有的硬盘，必须要受到硬盘接口的限制。以i-RAM为例，其所用的DDR内存的性能再好，最终的接口速度也不可能超过SATA的150MB/s。说到这，笔者比较纳闷i-RAM为什么没有采用SATA-II接口（本身就已经很贵了，再贵一点也妨，但性能提升明显得多），即使是300MB/s，以DDR DRAM的能力而言，仍然是绰绰有余的。也许i-RAM的设计较早，相信今后肯定会有SATA-II的版本出现。
再来看看NAND闪存，其实闪存芯片自身的数据传输率并不是很慢。NAND闪存目前的工作频率本来就比较低（一般在20至33MHz之间），但借助于大容量的页面设计，其读取时传输率可达16-22MB/s（20-33MHz的工作频率），写入理的数据传输率则为6.9-7.82MB/s（20-33MHz的工作频率）。存储卡的速度之所以很难提升，是因为存储卡接口的设计造成的，与NAND闪存本身的关系并不大。
当我们设计成一个64bit位宽的控制器，同时管理8颗8bit位宽的NAND闪存时，读/写带宽分别最高可达176MB和62.6MB/s。如果是128位宽设计，带宽又将提高一倍（前提是仍然采用8bit位宽芯片，当然芯片数量也将增加）。而对于写入带宽较低的问题，可以通过集成大容量DRAM芯片做缓存以提高效率。
从这几个方面来看，用NAND闪存来制造SSD，由于硬盘接口本身的限制，在性能上的劣势并不明显，但在其他方面，则比DRAM型SSD有着明显的好处。它无需后备电源，可以简化系统设计，由于是NVRAM，所以更不怕意外的掉电与人为的插拨失误。另外，NAND的块坏管理技术，也有助于保证数据的可靠性。
