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双核心、多核心处理器发展趋势(上)
[文章信息]
作者:
时间:2005-03-20
出处:天极网
责任编辑:stone
[文章导读]
以既有处理器核心,用两个或多个核心加以迭加,直接设计出芯片多线绪或芯片多重处理的处理器设计思维,成为后摩尔时代处理器研发的必然趋势
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[正文]

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  延续摩尔定律——双核心/多核心处理器的发展

  自高登.摩尔在1965年提出每隔18~24个月单位面积的晶体管数量倍增的摩尔定律之后,新世代处理器研发,凭借着每两~三年一次的制程进化,得以在一定的晶粒面积(成本)下,用更多的晶体管来设计新一代的核心架构,藉由新架构以及线路微缩的时钟频率提升效应,来驱动硅芯片的运算能量。


双核心/多核心将是未来计算机运算系统的新趋势

  以往为了要达成摩尔定律硅芯片晶体管数倍增的期望值,一般新一代制程技术,大多以缩减到前一代线距长度的约70%左右,例如90奈米是目前的制程主流,下一代则切到65奈米。依照晶粒面积跟线距平方成正比来计算,新一代制程可以把目前晶体管所占用的硅晶面积缩减到一半(0.7^2=0.49,约0.5),做入两倍的晶体管数量,就可以维持原来的硅晶面积。

  如果单纯就新一代制程来设计上一代处理器电路,运算时脉大致可以加快42.85%(=1/0.7),而且硅晶面积变成原来的一半,功耗可能下降的更低;同时新一代制程所需要的工作电压比较小,在热功率设计上也会更加容易一些。

  但是,这个公式一个以往被人忽略的一点,就是由于晶体管数量倍增,会不会导致硅芯片所需要的电能、耗费功率大幅提升,甚至成几何级数的增加呢﹖我们先从下列硅芯片的电能功率计算公式来探讨:

  功率=C(寄生电容)*F(频率)*V2(工作电压的平方)

  每一个硅芯片会因为IC制程、介质、材料属性,以及晶体管数量的不同,而有不同的寄生电容值,若是相同制程,大致上忽略掉材料属性与介质因素,可以简易归纳出上下一代制程的寄生电容值为一个常数,所以硅芯片功率跟频率成正比,跟工作电压的平方也成正比。

  摩尔定律并没有告诉我们,如何在同时维持功耗不变的情况下,顺利的达成晶体管倍增的目标,如果单纯从两倍效能提升值着手,频率因子是2.0,那么工作电压的平方值就要控制在0.5以下,使得功率维持在一定常数内,而0.5开平方也差不多是0.7,这代表工作电压得降到原先电压值的70%。

  由于线路微缩为70%,大约可以使工作频率极限拉高到42.85%(1/0.7),因此若能在每次制程技术把线路微缩为原先70%的长度时,同时也将工作电压降为原先的70%,就有可能运用新制程设计出两倍晶体管、速度为提升为原先的1.4倍(1/(1/0.7))左右,而且功耗维持不变的完美芯片

  但事实上,要控制这样的完美恒等式有其困难性。因为花费原先架构两倍晶体管来设计新的架构,以同频率为基准的性能提升都不见得是两倍,有些可能只是高速缓存的加大,有些逻辑闸的增加,反而会使硅芯片功率暴增。同时,新一代制程的工作电压可以调降,但不见得能调降到原先的70%,最近几份揭露出来的制程技术简报,发现切入0.13微米(130奈米)制程之后,工作电压仅能降到原先的90%;加上线距微缩之后,晶体管源极(Source)与汲极(Drain)之间的泄漏电流效应越来越明显。

  举个最实际的例子,1995年Pentium处理器推出时,当时的制程技术仅0.6微米制程,工作频率为75~120MHz,电压还高到3.3~5V,后来切到0.35微米制程,追加MMX指令集的Pentium MMX的推出,工作频率为166MHz~233MHz,热功率仅10~15瓦,工作电压也降到2.8V,差不多用散热片或小型低转速的散热风扇即可解决。如果一切那么完美的话,今日高达3.8GHz的LGA775 Pentium4 580处理器,其设计功率也应该维持在10~15瓦左右。但事实上,英特尔拼命用尽一切制程技术、节电管理的机制加入下,连工作电压都压低到1.35V以下,但3.8GHz的Pentium4 580,设计功率仍然高达115W,而Pentium4所采用的散热风扇更是重量级的,这已经是十年前Pentium处理器10~15瓦的9~11倍的功耗了!

  就以英特尔前任技术长Pat Gelsinger在四年前,也就是2001年ISSCC(International Solid-StateCircuits Conference国际固态电路会议)中简报上,他统计最近处理器各代架构,晶体管数目差不多是以2~3倍的数量在增加,而性能提升仅仅才1.5~1.7倍,换句话说,如果以晶体管数量除以性能提升值的话,如果还是照旧的拼命塞晶体管、提高频率的方式来设计处理器的话,每个新的CPU一开始,就注定功率会比上一代提升1.33~1.77倍,这个隐藏在摩尔定律背后的功率恒等式,会随着每个世代的演进,功率呈现等比级数的暴增与失衡中。

  提升性能/功率比的设计——多核心处理器设计


单核心晶体管倍增与多核心晶体管倍增的效益比

  若开发新处理器架构,以硅晶面积增加四倍来计算,套入上述的恒等式,不使用新的制程技术,功率立刻暴增四倍,但理论性能值最大只能提升两倍;若假定我们不再研发新的处理器架构,而是将两颗或四颗原来的处理器核心做进去,这样功率一样是暴增为四倍,但四颗处理器搭配四线绪的的软件平行化条件下,理论执行性能也会提升到四倍,效能功率比的表现,多核心远胜单核心一筹!

  而且事实上,如果在工作负荷比较轻微的情况下,四颗处理器核心不见得都用的上的情况下,处理器设计业者可以藉由动态调整电压、频率,甚至关掉目前用不着的子核心电路,可以进一步的把整个耗电功率降低。


多核心与单核心的效能/功率比

  基于人们对运算能量的需求,除了极力推动处理器时钟频率的提升、处理器核心运算架构的改良之外,直接已既有研发完成、验证过的处理器核心,以两个或多个核心的方式加以迭加,直接设计出芯片多线绪(Chip Multi-Threading;CMT)、或芯片多重处理(Chip Multi-Processing;CMP)的处理器设计思维,就成为后摩尔时代处理器研发的必然趋势。

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