天极网12月25日消息 日商尔必达内存(Elpida Memory)日前与上海中芯国际签订未来五年的0.10微米制程动态随机存取内存(DRAM)的代工合约，尔必达希望在明年第四季底投产。
尔必达社长阪本幸雄表示，这次与中芯的合作，除了技术移转及代工外 ，也提供了尔必达在大陆市场未来的成长空间。也会对尔必达跻身全球第三大DRAM制造厂有正面的助益。
尔必达是日本几个半导体大厂整合之后唯一的DRAM制造厂，与台湾的力晶半导体有技术移转的合作代工关系。力晶与尔必达的合作是从0.11、0.1到0.09微米制程，力晶获得尔必达的技术支援，转进下一世代制程。预计2004年四月开始试产尔必达0.10微米技术，2004年十月正式量产。
虽然尔必达已拥有一座十二吋晶圆厂(广岛)，但是DRAM制造比的就是产量，所以在扩量的前提下，尔必达找上了台湾的力晶半导体合作。阪本幸雄表示，在尔必达的规划中，自有产量与委外代工量要各占五成，因此尔必达就还要寻求代工第二来源。
本来尔必达属意对象是台湾茂德科技，因为0.10微米制程是要以十二吋厂生产，中芯国际在北京的十二吋厂目前仍在兴建中，预计明年第一季才会完工，至于茂德已有12吋厂。但后来尔必达与茂德，仍因双方在台湾茂矽介入下，洽谈破裂，最后仍无法合作，尔必达最后还是选择和中芯合作，茂德则是投向海力士半导体的怀抱。
尔必达最后还是找上了大陆的中芯国际，在此之前尔必达与中芯在0.13微米制程上就已有代工合约，所以这是双方的第二次合作。（完）
