在2001年1月于美国加州召开Platform协商会上，一家位于波士顿的内存颗粒设计公司——Kentron展出了一种名为Qand Band Memory的内存技术（简称QBM）。Kentron所推出的QBM内存技术利用了传统的场效应管（MOSFET），而将目前DDR内存的带快大幅度提升。因为QBM是Qand Band Rate，四倍边带传输率，所以QBM内存可以在100MHz的工作频率下从1.6GB/s提升到3.2GB/s。大家需要注意的是，QBM和QDR内存不是同一回事，QDR（Qand Data Rate）是应用于SDRAM上，而QBM则是应用于DDR之上。
QBM内存的结构
采用QBM技术的内存模组由两个DDR模块构成，其一按照正常的速度工作，另一则延迟四分之一周期，每一模块连接一个场效应管。场效应管在此充当开关缓冲的作用，在它的作用下，时钟周期错开的模块在一个10ns的周期内共同提供4bits的数据吞吐量。而普通的DDR内存在同样一个周期内能实现的吞吐量是2bits，标准的SDRAM只能实现1bits。Rambus在此之前已经展示了他们同样能在一个周期达到4bits吞吐量的Quad Ram bus技术，但在技术根本上和QBM是大相径庭的。Rambus应用了芯片接口技术来分离工作电压，4bits数据分别通过4种电压不同的电平信号在同一个周期内传输；而QBM技术依靠的是外部缓冲开关机制来实现在四分之一个周期内传输1bits的数据。从表面上看，Kentron的方案比Rambus实现方法要简单得多，这意味着可能存在成本低廉的优势。
