全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)近日推出三款新型25V DirectFET MOSFET，包括IRF6622控制MOSFET、IRF6628和IRF6629同步MOSFET，主要应用于服务器和电信系统中的嵌入式CPU电源、VRM模块，以及嵌入式DC-DC转换器。这些应用需要更高的效率和更好的导热效果，从而提高功率密度。
IR中国销售总监严国富指出:“与20V器件相比，新型25V DirectFET器件可提供更充分的电压裕量，更符合12V应用的需要。而且与同样有源硅片面积的30V器件相比, 25V器件可以减少功耗。”
IRF6622控制MOSFET的栅极电荷很低(Qg = 12nC)，有助减少开关损耗。经过优化的IRF6628和IRF6629同步MOSFET，不但传导损耗低，导通电阻RDS(on)也很低，分别只有1.9mOhms和1.6mOhms。IRF6622 采用小罐式DirectFET封装及SQ占板面积;而IRF6628和IRF6629则采用中罐式DirectFET封装及MX占板面积。
新型25V DirectFET是专为每相位20A到30A的器件设计的。在12VIN、1.3VOUT、300kHz的5相位设计中，如果每相位采用1对IRF6622和IRF6628，再配合IR XPhase芯片组，那么在130A下即可实现88%的效率。在相同条件下，IRF6622和IRF6629的组合效率更高，在130A时可达88.5%。新器件的详细资料可浏览www.irf.com及www.irf.com.cn。
产品规格如下:
|
产品编号 |
封装 |
BVDSS (V) |
10V以下典型 RDS(on) (mW) |
4.5V以下典型 RDS(on) (mW) |
VGS (V) |
在25ºC 的ID @Tc (A) |
典型QG (nC) |
典型QGD (nC) |
|
DirectFET SQ |
25 |
4.9 |
6.8 |
20 |
59 |
11.0 |
3.8 | |
|
DirectFET MX |
25 |
1.9 |
2.5 |
20 |
160 |
31 |
12 | |
|
DirectFET MX |
25 |
1.6 |
2.1 |
20 |
180 |
34 |
11 |
IRF6622、IRF6628和IRF6629 DirectFET MOSFET现已供货，产品均符合有害物质限制(RoHS)规定。
