天极网3月22日消息 德州仪器(Texas Instruments，TI)宣布推出采用65纳米先进CMOS制程技术的无线数字基频处理器，由此成为第一家提供65纳米产品的半导体制造商，并实现了一年前公布其65纳米制程和技术细节时所做的承诺：面积比90纳米设计缩小一半，使用应变硅(strained-silicon) 技术提升四成的晶体管性能，同时将闲置晶体管的泄漏功耗减少一千倍。
65纳米制程技术将数亿个晶体管整合至单颗芯片，使TI能够在高整合度的系统单芯片解决方案上同时支持模拟和数字功能。先进多媒体和高端数字消费电子功能需要更多处理运算，这使低功耗半导体技术成为业界关注焦点。为了解决此问题，TI已将多种新型电源管理技术导入其65纳米平台。
首先是TI的SmartReflex动态电源管理技术，根据使用者性能需求自动调整电源供应电压，同时协助控制组件的功耗，例如TI OMAPVox处理器。SmartReflex会密切监控电路速度，并动态调整供应电压以满足应用性能需求，其过程不会对系统整体性能造成影响。这种做法使得组件在任何操作频率下都能将功耗降至最低，同时延长电池寿命，降低组件产生的热量；TI还将其它技术应用于65纳米制程，在晶体管进入闲置状态后降低其功耗，例如行动电话处于待机模式时。整体而言，这些新技术最多可将泄漏功耗减少一千倍。
为满足终端产品或是应用的独特需求，TI将持续提供数种最佳化的65纳米制程，主要是通过调整晶体管参数来达成，例如闸极长度、临界电压、闸极介电质厚度或偏压条件。极低功耗组件可延长可携式产品的电池寿命，例如3G无线手机、数字相机和多媒体功能日益先进的音频播放机。中阶组件可支持DSP应用和TI高性能ASIC组件库，主要用于通讯基础设施产品；TI性能最强大的65纳米制程则能支持升阳的UltraSPARC系列64位处理器。
65纳米制程最多有11层铜导线，采用低介电系数的有机硅玻璃材料(OSG)，其介电系数在2.8和2.9之间。低介电系数材料可以减少主动功耗以及组件导线层内的电容和传播延迟时间，进而提升芯片整体性能。其它改进包括芯片制造过程中在晶体管信道上产生诱导应力以增加电子和电洞移动率、使用硅化镍以降低闸极和源极/汲极阻抗以及超浅层源极/汲极接面。TI还独家采用差动式偏移隔离层技术，能单独针对NMOS或PMOS晶体管进行最佳化，进而提高组件性能，同时将泄漏电流减至最少。
TI计划将65纳米制程用于8吋和12吋晶圆，预计2005年底即可通过认证并正式开始生产。（完）
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