天极网11月21日消息 飞利浦电子集团日前宣布在LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)技术上已有重大突破，新一代LDMOS技术可降低3G
手机基地台的复杂性和运营成本，同时大幅提升基地台的效能和可靠性。飞利浦新型第四代LDMOS所生产的无线电功率(RF Power)晶体管与传统的LDMOS相较之下，所增加的效益与效能更高。因此，无线电功率放大器在运作时所需消耗的能量也就更少。这些新型晶体管具备的优异线性功能即使在高功率环境下，也意味着它们能以超低失真品质满足多载波W-CDMA和GSM EDGE基地台的需要。
业界对于推出3G手机的基础建设期盼已久，而3G手机基础建设也被视为提供一般用户更丰富的多媒体体验以及为行动用户提供最新数据服务的重要一步。飞利浦新一代LDMOS优异的特性，成为推动3G基础建设时的首要之选，而新一代LDMOS技术同时也适用于目前在全球推出的各式数字电视系统的发送器上。
飞利浦半导体LDMOS无线电功率行销经理Rick Dumont表示：“第4代LDMOS技术的推出，让无线电功率放大器
设计人员有更弹性的设计空间，以及更好的管道解决效率和线性折衷这一类困难的问题。这些新设备更以实惠的价位满足电信业者们在W-CDMA效能上的要求，增强我们成为主要LDMOS 无线电功率设备的手机基础建设领导供货商的地位。”
飞利浦新型0.6 μm LDMOS技术使无线电功率晶体管的效能推进至另一新的里程碑，其功率密度提高50%，WCDMA效率提升6-8%，功率增益与以前的0.8 μm相比，则提高了2 dB。此外，与传统LDMOS装置相比，这些晶体管采用的多层金属化(double gold metalization)和金属线间连接(gold-gold wirebonding)专利让平均无故障时间(Mean Time To Failure，MTTF)提高8-10倍的效率，允许设计人员可在结点温度(junction temperature)提高20度的情况下使用。
鉴于W-CDMA功率放大器本身具有的低阶系统效能，这些特性可大量减低功耗和改善最先进的3G基地台之
散热问题，促使放大器由地面架设朝向天线杆(mast-mounted)架设的趋势发展。飞利浦第四代LDMOS晶体管的优异补偿线性特别适合多载波功率放大器(Multi-Carrier Power Amplifier，MCPA)和未来的数字预失真 (Digital Pre-Distortion)应用。
首先采用飞利浦突破性LDMOS的功率晶体管已于今年第四季度试产，2004年第一季度将开始量产。2004年将首先推出的是BF4G22-100 WCDMA 晶体管，增益为13.5 dB，增益平坦度(gain flatness)为0.1 dB (2110-2170 MHz)，输出功率为24W时的2载波WCDMA运行效率是26%，-40 dBc的ACPR和-36 dBc的IMD。在以上的运行条件下，以及IS95信号和CCDF的3dB压缩下，该晶体管的尖峰值输出功率超过150W。飞利浦的第四代LDMOS技术适用于所有的行动式频带，从800 MHz到2.2 GHz。飞利浦的LDMOS发展蓝图显示在未来发展中，还将充分利用飞利浦的0.18 μm主流CMOS生产
程序的先进能力。（完）
