天极网7月15日消息 中国台湾工研院电子所日前与力晶、南亚、茂德、华邦四大内存制造厂商签约，预计以3年的时间，联合研发新世代兆位级相变化内存技术与产品。

　　相变化内存(Phase Change Memory，PCM；或称Ovonic Universal Memory，OUM)是利用特殊相变化材料的一种新兴内存技术。随着数字行动生活时代的来临，电子资讯产品的运算速度与内存容量需求日增。和微处理器一样居于大脑地位的内存，需具备高密度、大容量、功能强等条件，才足以匹配产品发展趋势。而速度快、高容量密度、低耗能的PCM，含括了综合性的优点，是最被看好取代当前的动态随机存取内存(DRAM)与闪存(FLASH)，具有终极内存架势的技术与产品。

　　参与联合研发的力晶、南亚、茂德、华邦均表示，单一公司要发展下世代的内存技术，投入的人力、经费所费不赀，尤其产业越大、技术越成熟的产品，越不容易被取代，新兴技术需经过长期的研究开发、验证，才可能被接受、量产、商品化；此次成立的PCM联盟研发由五个机构合作，团结力量大，既分散风险，成功的机率与成本效益均相对提高。

　　放眼全球市场，韩国三星电子、美国英特尔、欧洲意法半导体虽已在PCM耕耘多年，但是整体技术尚未纯熟，都还没有商品化产品。

　　电子所技术团队其实已投入两年半总经费新台币1.6亿元在PCM技术的研发。未来，联盟将在此既有的研究基础上，往前推展，并以可携式电子产品的应用开发为主。经费由四家厂商三年分别投入新台币3,000万元，总计超过新台币1.2亿元。

　　至于人力方面，第一年由电子所投入约20人，第二年起，四家公司将各别成立PCM研发团队，与电子所研究人员合作，进行技术的商品化开发。预计2007年产出兆位级的PCM产品。

　　据了解，中国台湾内存产业的产值在2004年达到新台币2,300亿元，占全球内存市场约20%，现已成为第二大DRAM供应地。（完）

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