天极网8月26日消息 力晶半导体公司与日本尔必达公司(Elpida Memory, Inc.)正式签订0.11、0.10与0.09微米DRAM技术转移合约。透过这项合作，力晶将可获得尔必达充分的技术支持，顺利转进下一世代制程，持续掌握在DRAM产业的竞争力；中日双方则可透过技术、产能与销售通路的互补，强化获利能力。
此次技术转移合约是由力晶半导体董事长黄崇仁博士及尔必达公司代表取缔役社长坂本幸雄共同签订。尔必达为日本最大以及唯一的DRAM公司，不仅技术水准位居世界领先之位，也积极扩展市场占有率。黄崇仁指出，藉由双方在产能、技术与销售多方面的合作与互惠关系，将可以发挥产业资源互补的效益，而在尔必达扩展国际市场的版图中，力晶也将是其最佳的合作伙伴。
力晶总经理谢再居博士指出，力晶十二吋晶圆厂目前产能已达一万五千片，全线以0.13微米技术量产。根据双方计划时程，预计2004年4月开始试产尔必达0.10微米技术，2004年10月正式量产，0.09微米技术则在2005年4月开始导入。
力晶半导体表示，这次双方正式签署的0.11、0.10与0.09微米技术合作与移转合约，延续以往与日本三菱合作之精神，力晶将有权利使用尔必达最新制程技术来研发、生产并销售自己的DRAM产品，新世代制程技术将应用于生产256Mb以及未来更高阶的512Mb、1Gb DRAM产品。（完）
